產(chǎn)品中心
Product Center
熱門搜索：
Element美國(guó)EDAX能譜儀
EP6美國(guó) Cascade Microtech EP6探針臺(tái)
TEM氮化硅薄膜窗口
NTEGRAPrima俄羅斯產(chǎn)全功能掃描探針原子力顯微鏡
Zeta-20三維光學(xué)輪廓儀
主動(dòng)隔振臺(tái)ARISTT
石英/硅/聚合物模板高分辨率納米壓印模板（Mold for nanoimprint lithography）
P170全自動(dòng)晶圓探針式輪廓儀/臺(tái)階儀
iNano高精度臺(tái)式納米壓痕儀
PLD/Laser-MBE脈沖激光沉積/分子束外延聯(lián)用系統(tǒng)
Lumina光學(xué)表面缺陷分析儀
P7晶圓探針式輪廓儀/臺(tái)階儀
納米團(tuán)簇束流沉積系統(tǒng)
Profilm 3D經(jīng)濟(jì)三維光學(xué)輪廓儀 可測(cè)樣
Solver P47俄羅斯產(chǎn)高性價(jià)比掃描探針顯微鏡原子力
納米壓印膠
當(dāng)前位置：首頁(yè)
產(chǎn)品中心長(zhǎng)晶設(shè)備碳化硅SiC長(zhǎng)晶設(shè)備
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
碳化硅SiC長(zhǎng)晶設(shè)備是實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業(yè)設(shè)備。廣泛應(yīng)用于SiC晶體生長(zhǎng)、原料合成、晶體熱處理領(lǐng)域。可以生長(zhǎng)6/8英寸的晶錠。
product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 |
|---|
碳化硅SiC長(zhǎng)晶設(shè)備
是實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業(yè)設(shè)備。廣泛應(yīng)用于SiC晶體生長(zhǎng)、原料合成、晶體熱處理領(lǐng)域?？梢陨L(zhǎng)6/8英寸的晶錠。
碳化硅SiC長(zhǎng)晶設(shè)備
真空爐腔系統(tǒng)較為限本底真空值達(dá)到≤5.0E-5Pa，升壓率≤3Pa/12h，保證晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定性
．智能化生長(zhǎng)及監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)多種制程精確定制，工藝優(yōu)化，長(zhǎng)晶全過(guò)程實(shí)時(shí)監(jiān)控，數(shù)據(jù)可視化存檔
．新型感應(yīng)加熱線圈設(shè)計(jì)，有效提高熱場(chǎng)加熱的均勻性和穩(wěn)定性
．業(yè)內(nèi)1st創(chuàng)的PIM自檢系統(tǒng)，有效減免制程時(shí)間浪費(fèi)
．穩(wěn)定可靠的水冷系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了水道管路溫度、流量的實(shí)時(shí)監(jiān)控，保證了生長(zhǎng)室溫場(chǎng)的穩(wěn)定性
．可生產(chǎn)6英寸P級(jí)碳化硅襯底，微管缺陷密度＜0.5個(gè)／cm2，電阻率達(dá)0.015-0.0280
上一個(gè)：
返回列表
